Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 30, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3.5А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52, Крутизна характеристики, S: 8, Корпус: TO-220F, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
