Pd - рассеивание мощности: 104 W, Вид монтаа: Through Hole, Высота: 9.4 mm, Длина: 10.67 mm, Другие названия товара №: HGTP12N60C3D_NL, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток: 24 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 24 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 800, Серия: HGTP12N60C3D, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.83 mm, Бренд: ON Semiconductor
