Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 75 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 325 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 16.3мм, Размеры: 10.67 x 4.7 x 16.3мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 195 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 42 ns, Серия: UltraFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 7 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 55 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 220 нКл при 20 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4000 пФ при 25, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 75 A, Pd - рассеивание мощности: 270 W, Qg - заряд затвора: 235 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 10 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 80 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 125 ns, Время спада: 90 ns, Другие названия товара №: HUF75545P3_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: UltraFET, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 14 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 1.98, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
