Pd - рассеивание мощности: 288 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IEWS20R5135IPB, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1350 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 20 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-6, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
