Напряжение Изоляции: 2кВ, Управляющее Устройство Умного Модуля Питания: IGBT, Номинальное Напряжение (Vces / Vdss): 650В, Ток (Ic / Id): 30а, Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания: dip, Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM): CIPOS, Линейка Продукции: cipos mini, Pd - рассеивание мощности: 60.4 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IFCM30T65GD SP001423504, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: CIPOS, Конфигурация: 2-Phase, Максимальная рабочая температура: + 100 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.75 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 30 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 280, Серия: CIPOS Mini, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 1 mA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: MDIP-24, Base Product Number: IFCM30 ->, Configuration: 2 Phase, Current: 30A, ECCN: EAR99, HTSUS: 8542.39.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Package: Tube, Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028, 26.10mm), REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: CIPOSв„ў ->, Type: IGBT, Voltage: 650V, Voltage - Isolation: 2000Vrms, Вес, г: 11.34, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
