Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 90 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: TRENCHSTOP IGBT, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Base Product Number: IGP50N60 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Current - Collector Pulsed (Icm): 150A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 310nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power - Max: 333W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchStopВ® ->, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Switching Energy: 2.6mJ, Td (on/off) @ 25В°C: 26ns/299ns, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
