Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263 (D2PAK), Рассеиваемая Мощность: 188Вт, DC Ток Коллектора: 62А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.35В, Линейка Продукции: TRENCHSTOP 5 Series, Pd - рассеивание мощности: 188 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: IKB30N65ES5 SP001502572, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.35 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 62 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 62 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: Trenchstop IGBT5, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Reel, Cut Tape, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 0.1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
