Id - непрерывный ток утечки: 37 A, Pd - рассеивание мощности: 40.5 W, Qg - заряд затвора: 55 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 9.1 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 20 ns, Время спада: 9 ns, Высота: 16.15 mm, Длина: 10.65 mm, Другие названия товара №: G IPA105N15N3 IPA15N15N3GXK SP000677850, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: OptiMOS, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 33 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: OptiMOS 3, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 35 ns, Типичное время задержки при включении: 17 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220FP-3, Ширина: 4.85 mm, Вес, г: 2.9, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
