Конфигурация: High-Side/Low-Side, Тип канала: Один, Кол-во каналов: 1, Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 12…20, Логическое напряжение (VIL), В: 0.8, Логическое напряжение (VIH), В: 3, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5, Тип входа: неинвертирующий, Максимальное напряжение смещения, В: 600, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40, Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ), Корпус: DIP-8 (0.300 inch), Вес, г: 1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
