Конфигурация: half-bridge, Тип канала: синхронный, Кол-во каналов: 2, Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 10…15.6, Тип входа: RC входная схема, Максимальное напряжение смещения, В: 600, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45, Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ), Корпус: DIP-8 (0.300 inch), Вес, г: 1, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
