Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 210 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 330 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 16.51мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 16.51мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 15 нс, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 62 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3,6 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 40 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 130 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 5890 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Maximum Power Dissipation: 330 Вт, Transistor Material: Кремний, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Infineon, Series: HEXFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Максимальное пороговое напряжение включения: 4V, Maximum Drain Source Resistance: 3,6 м?, Maximum Drain Source Voltage: 40 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 130 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 210 A, Pd - рассеивание мощности: 330 W, Qg - заряд затвора: 130 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.6 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: SP001576552, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.66, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
