Id - непрерывный ток утечки: 99 A, Pd - рассеивание мощности: 375 W, Qg - заряд затвора: 120 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 12.1 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 73 ns, Время спада: 39 ns, Высота: 2.3 mm, Длина: 6.5 mm, Другие названия товара №: SP001578272, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 97 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 2.5, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
