Id - непрерывный ток утечки: 7 A, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Qg - заряд затвора: 32 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.4 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 32 ns, Время спада: 24 ns, Высота: 4.83 mm, Длина: 10.41 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXFA7N80P, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 55 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.65 mm, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation
