Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 16.26mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 34 A, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 695 W, Series: HiperFET, Polar3, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 5.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Height: 21.46mm, Maximum Drain Source Resistance: 175 m?, Maximum Drain Source Voltage: 500 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 V, +30 V, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +150 C, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 5V, Максимальное рассеяние мощности: 695 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 175 м?, Максимальный непрерывный ток стока: 34 А, Материал транзистора: Кремний, Минимальная рабочая температура: -55 C, Номер канала: Поднятие, Серия: HiperFET, Polar3, Страна происхождения: US, Тип канала: N, Тип корпуса: TO-247, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Типичный заряд затвора при Vgs: 60 нКл при 10 В, Число контактов: 3, Ширина: 5.3мм, Вес, г: 6.1, Бренд: Ixys Corporation
