Id - непрерывный ток утечки: 140 A, Pd - рассеивание мощности: 480 W, Qg - заряд затвора: 127 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 9.6 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 20 ns, Время спада: 12 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 55 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 130 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3P-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 140A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-3P, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Вес, г: 5.5, Бренд: Ixys Corporation
