California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 240A, Current - Collector Pulsed (Icm): 600A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 420nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Power - Max: 830W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX3в„ў ->, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 40ns/490ns, Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Pd - рассеивание мощности: 830 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 26.59 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 20.29 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: GenX3, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V, Непрерывный коллекторный ток: 240 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 240 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 600 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXGK120N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.31 mm, Бренд: Ixys Corporation
