Максимальное обратное напряжение Uобр.,В: 800, Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В: 800, Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А: 16, Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А: 150, Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В: 1.6, Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А: 2, Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В: 0.7, Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс: 500, Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс: 9, Время включения tвкл.,мкс: 2, Рабочая температура,С: -40…150, Корпус: TO-220AB, Конфигурация: single, Тип симистора: standard, Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 800, Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А: 16, Отпирающее постоянное напряжение управления, В: 1.5, Ударный ток в открытом состоянии, А: 150, Отпирающий постоянный ток управления, мА: 50, Ток удержания, мА: 80, Вес, г: 2.794, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
