Pd - рассеивание мощности: 750.89 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.7 Ohms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.6 ns, Время спада: 1.8 ns, Задержка распространения - макс.: 36 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 36 V, Напряжение питания - мин.: 3 V, Отключение: Shutdown, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: Isolated Gate Drivers, Рабочий ток источника питания: +/- 5 mA, +/- 6 mA, Размер фабричной упаковки: 100, Серия: MAX22700, Технология: SiC, Тип: Low Side, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Maxim Integrated, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOIC-8, Чувствительный к влажности: Yes, Approval Agency: CSA, cUL, UL, Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/Вµs (Typ), Current - Output High, Low: 2.35A, 3.7A, Current - Peak Output: 2.35A, 3.7A, ECCN: EAR99, HTSUS: 8542.39.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Number of Channels: 1, Operating Temperature: -40В°C ~ 125В°C, Package: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width), Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 36ns, 36ns, Pulse Width Distortion (Max): 2ns, Rise / Fall Time (Typ): 3.6ns, 1.8ns (Max), Supplier Device Package: 8-SOIC, Technology: Capacitive Coupling, Voltage - Isolation: 3000Vrms, Voltage - Output Supply: 13V ~ 36V, Power Switch Type: GaN HEMT, SiC MOSFET, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Конфигурация Привода: Низкая Сторона, Максимальное Напряжение Питания: 36В, Минимальное Напряжение Питания: 13В, Пиковый Выходной Ток: 4А, Стиль Корпуса Привода: NSOIC, Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов, Бренд: Maxim Integrated Products
