Power Switch Type: GaN HEMT, SiC MOSFET, Задержка Выхода: 35нс, Задержка по Входу: 35нс, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Конфигурация Привода: Низкая Сторона, Максимальная Рабочая Температура: 125 C, Максимальное Напряжение Питания: 5.5В, Минимальная Рабочая Температура: -40 C, Минимальное Напряжение Питания: 3В, Пиковый Выходной Ток: 4А, Стиль Корпуса Привода: NSOIC, Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов, Pd - рассеивание мощности: 750.89 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 4.7 Ohms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.6 ns, Время спада: 2.5 ns, Задержка распространения - макс.: 36 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Напряжение питания - макс.: 36 V, Напряжение питания - мин.: 3 V, Отключение: Shutdown, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: Isolated Gate Drivers, Рабочий ток источника питания: +/- 5 mA, +/- 6 mA, Размер фабричной упаковки: 100, Серия: MAX22701, Технология: SiC, Тип: Low Side, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Maxim Integrated, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOIC-8, Чувствительный к влажности: Yes, Approval Agency: CSA, cUL, UL, Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/Вµs, ECCN: EAR99, HTSUS: 8542.39.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Number of Channels: 1, Operating Temperature: -40В°C ~ 125В°C, Package: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width), Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 36ns, 36ns, Pulse Width Distortion (Max): 2ns, Rise / Fall Time (Typ): 2.5ns, 2.5ns (Max), Supplier Device Package: 8-SOIC, Technology: Capacitive Coupling, Voltage - Isolation: 3000Vrms, Voltage - Output Supply: 13V ~ 36V, Бренд: Maxim Integrated Products
