Конфигурация: Low-Side, Тип канала: независимый, Кол-во каналов: 2, Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 6.1…18, Логическое напряжение (VIL), В: 0.8, Логическое напряжение (VIH), В: 2.6, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5, Тип входа: неинвертирующий, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32, Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ), Корпус: DIP-8 (0.300 inch), Вес, г: 1, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
