Конфигурация: half-bridge, Тип канала: независимый, Кол-во каналов: 2, Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 5.5…16, Логическое напряжение (VIL), В: 0.8, Логическое напряжение (VIH), В: 2.2, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1, Тип входа: неинвертирующий, Максимальное напряжение смещения, В: 108, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20, Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ), Корпус: soic-8 (0.154 inch), Вес, г: 0.1, Бренд: Microchip Technology
