Структура: p-канал, Напряжение пробоя (V(br)gss), В: 30, Ток утечки (Idss), мА: 2…25, при Vds, В (Vgs=0): 15, Напряжение отсечки (Vgs off), В: 1…4, при Id, нА: 10, Сопротивление канала (RDS(On)), Ом: 250(max), Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 0.225, Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150, Корпус: sot-23, Вес, г: 0.05, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
