Минимальная Рабочая Температура: -40 C, Максимальная Рабочая Температура: 125 C, Максимальное Напряжение Питания: 20В, Минимальное Напряжение Питания: 13.2В, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Стиль Корпуса Привода: SOIC, Задержка по Входу: 56нс, Задержка Выхода: 63нс, Конфигурация Привода: полумост, Topology: Half Bridge, Длина: 5мм, Rise Time: 18ns, Number of Outputs: 1, Minimum Operating Supply Voltage: 13.5 V, Brand: ON Semiconductor, Polarity: Inverting, Package Type: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 4мм, Fall Time: 19ns, Height: 1.5мм, Максимальное рабочее напряжение питания: 20 V, Число контактов: 8, Размеры: 5 x 4 x 1.5mm, Bridge Type: Half Bridge, Time Delay: 25ns, Peak Output Current: 7.8A, Number of Drivers: 1, Pd - рассеивание мощности: 700 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 18 ns, Время спада: 19 ns, Выходное напряжение: 800 mV, 14.1 V, Выходной ток: 1 A, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Максимальное время задержки включения: 75 ns, Максимальное время задержки выключения: 75 ns, Напряжение питания - макс.: 30 V, Напряжение питания - мин.: 15 V, Отключение: Shudown, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: IGBT, MOSFET Gate Drivers, Рабочий ток источника питания: 10 uA, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: NCD5701, Технология: Si, Тип: High Side, Low Side, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: SOIC-8, Вес, г: 0.1, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
