Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 150 А, Тип корпуса: DFN, Максимальное рассеяние мощности: 110 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 6.1мм, Прямая активная межэлектродная проводимость: 110S, Высота: 1.05мм, Размеры: 5.1 x 6.1 x 1.05мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 5.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 15 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 28 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1.2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3,3 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 2 (силовых/коаксиальных), 5 (силовых/коаксиальных), 5 (сигнальных), Типичный заряд затвора при Vgs: 52 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 3600 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Прямое напряжение диода: 1.2V, Вес, г: 0.15, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
