DC Ток Коллектора: 35А, IGBT Configuration: Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake), IGBT Termination: Solder, Количество Выводов: 26вывод(-ов), Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.8В, Полярность Транзистора: Шесть N Каналов, Стиль Корпуса Транзистора: DIP, Brand: onsemi, Количество транзисторов: 6, Конфигурация: Трехфазный, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20.0V, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 650 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 35 А, Тип канала: N, Тип корпуса: DIP26, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
