Id - непрерывный ток утечки: 66 A, Pd - рассеивание мощности: 93 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 10.5 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 25 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 90 ns, Время спада: 25 ns, Высота: 4.5 mm, Длина: 10.3 mm, Другие названия товара №: /T3 PHB66NQ03LT, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 25 ns, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.4 mm, Base Product Number: PHB66NQ03 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 66A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchMOSв„ў ->, Supplier Device Package: D2PAK, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Вес, г: 1, Бренд: Nexperia B.V.
