Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 300 мА, Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), Максимальное рассеяние мощности: 830 мВт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Высота: 1мм, Размеры: 3 x 1.4 x 1мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Nexperia, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 5 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 25 пФ при 10 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 300 mA, Pd - рассеивание мощности: 830 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 5 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: 933966340215, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 100 mS, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel MOSFET, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-23-3, Base Product Number: PMBF170 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 300mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchMOSв„ў ->, Supplier Device Package: TO-236AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 300mA, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 830mW, Rds On - Drain-Source Resistance: 5О© @ 500mA,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60V, Vgs - Gate-Source Voltage: 2V @ 1mA, Вес, г: 0.04, Бренд: Nexperia B.V.
