Pd - рассеивание мощности: 200 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 1 mm, Длина: 2.2 mm, Другие названия товара №: PUMZ1 T/R, Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT, Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 120, Конфигурация: Dual, Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 120 at 1 mA at 6 V, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальный постоянный ток коллектора: 0.1 A, Минимальная рабочая температура: 65 C, Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: NPN, PNP, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 100 MHz, Размер фабричной упаковки: 3000, Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-363-6, Ширина: 1.35 mm, Вес, г: 0.006, Бренд: NXP Semiconductor
