Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263 (D2PAK), Рассеиваемая Мощность: 194Вт, DC Ток Коллектора: 48А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.65В, Pd - рассеивание мощности: 194 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: RGT50NL65D, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: +175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: -40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 48 A, Подкатегория: IGBTs, Производитель: ROHM Semiconductor, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка / блок: TO-263L-3, Упаковка: Cut Tape, Reel, Вес, г: 2, Бренд: Rohm
