Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 16мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: ROHM, Maximum Collector Emitter Voltage: 650 В, Maximum Continuous Collector Current: 58 A, Package Type: TO-247N, Максимальное рассеяние мощности: 194 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Width: 5мм, Количество транзисторов: 1, Height: 21mm, Pin Count: 3, Dimensions: 16 x 5 x 21mm, Maximum Gate Emitter Voltage: ±30V, Channel Type: N, Емкость затвора: 66pF, Pd - рассеивание мощности: 194 W, Вид монтажа: Through Hole, Диапазон рабочих температур: 40 C to + 175 C, Другие названия товара №: RGTH60TS65D, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток: 30 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 58 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 58 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Серия: RGTH60TS65, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Вес, г: 6.6, Бренд: Rohm
