DC Ток Коллектора: 45А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.5В, Рассеиваемая Мощность: 89Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-3PFM, Pd - рассеивание мощности: 89 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 45 A, Подкатегория: IGBTs, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3PFM, Base Product Number: RGW00 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 45A, Current - Collector Pulsed (Icm): 200A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 141nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Power - Max: 89W, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-3PFM, Switching Energy: 1.18mJ (on), 960ВµJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 52ns/180ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Вес, г: 6.35, Бренд: Rohm
