Id - непрерывный ток утечки: 55 A, Pd - рассеивание мощности: 100 W, Qg - заряд затвора: 143 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 16.8 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: RSJ550N10, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: RSJ550N10, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 2, Бренд: Rohm
