Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 230 mA, Package Type: SOT-23, Maximum Power Dissipation: 1.1 W, Mounting Type: Surface Mount, Width: 1.75mm, Height: 1.3mm, Dimensions: 3 x 1.75 x 1.3mm, Transistor Material: Si, Number of Elements per Chip: 1, Length: 3mm, Transistor Configuration: Single, Typical Turn-On Delay Time: 1.25 ns, Brand: DiodesZetex, Typical Turn-Off Delay Time: 11.4 ns, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 1.8V, Maximum Drain Source Resistance: 9.5 ?, Maximum Drain Source Voltage: 250 V, Pin Count: 6, Category: Power MOSFET, Typical Gate Charge @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V, Channel Mode: Enhancement, Typical Input Capacitance @ Vds: 72 pF @ 25 V, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -40 V, +40 V, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +150 C, Максимальное напряжение затвор-исток: -40 В, +40 В, Максимальное напряжение сток-исток: 250 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 1.8V, Максимальное рассеяние мощности: 1.1 Вт, Максимальное сопротивление сток-исток: 9.5 ?, Максимальный непрерывный ток стока: 230 мА, Материал транзистора: Кремний, Минимальная рабочая температура: -55 C, Номер канала: Поднятие, Страна происхождения: CN, Тип канала: N, Тип корпуса: SOT-23, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Типичный заряд затвора при Vgs: 2.6 нКл при 10 В, Число контактов: 6, Ширина: 1.75мм, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 3000, Fall Time: 3.5 ns, Forward Transconductance - Min: 0.3 S, Id - Continuous Drain Current: 230 mA, Manufacturer: Diodes Incorporated, Mounting Style: SMD/SMT, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: SOT-26-6, Packaging: Cut Tape or Reel, Pd - Power Dissipation: 1.1 W, Product: MOSFET Small Signal, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 2.6 nC, Rds On - Drain-Source Resistance: 8.5 Ohms, Rise Time: 1.7 ns, Series: ZVN4525, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Type: FET, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV, Бренд: DIODES INC.
