Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 160 мА, Тип корпуса: E-Line, Максимальное рассеяние мощности: 0.625 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.41мм, Высота: 4.01мм, Размеры: 4.77 x 2.41 x 4.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 4.77мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 8 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 14 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 50 пФ при 18 В, Тип канала: P, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 160 mA, Pd - рассеивание мощности: 625 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 14 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 8 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 60 mS, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 4000, Серия: ZVP3306, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Bulk, Упаковка / блок: TO-92-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 160mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 18V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-92-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Вес, г: 0.5, Бренд: DIODES INC.
