Base Product Number: APT75GN120 ->, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 124A, Current - Collector Cutoff (Max): 200ВµA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: ISOTOP, Power - Max: 379W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Supplier Device Package: ISOTOPВ®, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Pd - рассеивание мощности: 379 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 9.6 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 38.2 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток: 124 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 124 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 124 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microchip / Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227-4, Ширина: 25.4 mm, Бренд: Microchip Technology
