Материал: кремний, Кол-во диодов в корпусе: 1, Конфигурация диода: Одиночный, Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75, Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 85, Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.25, Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5, Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 1, Максимальное прямое напряжение,В: 1.25, при Iпр.,А: 0.15, Максимальное время обратного восстановления, нс: 4, Общая емкость Сд,пФ: 1.5, Рабочая температура,С: -65…+150, Способ монтажа: smd, Корпус: SOD-110, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor
