Максимальная определяемая длина волны: 1100нм, Материал диода: SI, Производитель: Osram Opto Semiconductor, Длина: 4.5 mm, Тип корпуса: DIP, Высота: 1.2 mm, Ширина: 4 mm, Полярность: Назад, Минимальная определяемая длина волны: 400нм, Количество контактов: 2, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Пиковая светочувствительность: 0.62Фактический вес, Угол половинной чувствительности: 60 °, Длина волны пиковой чувствительности: 850нм, Spectrums Detected: Infrared, Visible Light, Длина Волны Предельной Чувствительности: 850нм, Количество Выводов: 2вывод(-ов), Линейка Продукции: BPW34, BPW34S, BPW34S(R18R), Максимальная Рабочая Температура: 100 C, Минимальная Рабочая Температура: -40 C, Стиль Корпуса Диода: SMD, Темновой Ток: 2000пА, Угол Приема ±: 60, If - прямой ток: 100 mA, Pd - рассеивание мощности: 150 mW, Vf - прямое напряжение: 1.3 V, Vr - обратное напряжение: 32 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 20 ns, Время спада: 20 ns, Другие названия товара №: Q65110A1209 Q65110A1209, Категория продукта: Фотодиоды, Квалификация: AEC-Q101, Максимальная рабочая температура: + 100 C, Минимальная рабочая температура: - 40 C, Пиковая длина волны: 850 nm, Подкатегория: Optical Detectors and Sensors, Продукт: PIN Photodiodes, Размер фабричной упаковки: 1500, Темновой ток: 2 nA, Тип продукта: Photodiodes, Тип: Silicon PIN Photodiode, Торговая марка: OSRAM Opto Semiconductors, Угол половинной интенсивности: 60 deg, Упаковка / блок: DIL-SMT-2, Фототок: 80 uA, Чувствительность: 0.62 A/W, Чувствительный к влажности: Yes, Эквивалентная мощность шума (NEP): 4.1E-14 W/sqrt Hz, Brand: OSRAM Opto Semiconductors, Типичное время затухания: 0.02мкс, Типичное время нарастания: 0.02мкс, Ток короткого замыкания: 80 ?A, Бренд: Osram
