Id - непрерывный ток утечки: 2.3 A, Pd - рассеивание мощности: 1.8 W, Qg - заряд затвора: 8.7 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 160 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 75 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 800 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 5.5 ns, Время спада: 16.7 ns, Высота: 1.6 mm, Длина: 6.5 mm, Другие названия товара №: BSP716N H6327 SP001087514, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.71 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки выключения: 50.1 ns, Типичное время задержки при включении: 4.6 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: SOT-223-4, Ширина: 3.5 mm, Base Product Number: BSP716 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2.3A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.3A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: OptiMOSв„ў ->, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218ВµA, Вес, г: 0.16, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
