Transistor Mounting: Surface Mount, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Напряжение Измерения Rds(on): 4.5В, Напряжение Истока-стока Vds: 25В, Непрерывный Ток Стока: 260мА, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 1.1В, Рассеиваемая Мощность: 320мВт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 4Ом, Стиль Корпуса Транзистора: SOT-23, Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный, Brand: Diodes Incorporated, Channel Mode: Enhancement, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 10000, Fall Time: 2.3 ns, Forward Transconductance - Min: 1 S, Id - Continuous Drain Current: 260 mA, Manufacturer: Diodes Incorporated, Maximum Operating Temperature: + 150 C, Minimum Operating Temperature: - 55 C, Mounting Style: SMD/SMT, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: SOT-23-3, Packaging: Cut Tape or Reel, Pd - Power Dissipation: 320 mW, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 360 pC, Rds On - Drain-Source Resistance: 4 Ohms, Rise Time: 1.8 ns, Series: DMG301, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Typical Turn-Off Delay Time: 6.6 ns, Typical Turn-On Delay Time: 2.9 ns, Unit Weight: 0.000282 oz, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 4.5 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 700 mV, Вес, г: 0.1, Бренд: DIODES INC.
