Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 20, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268, Крутизна характеристики, S: 150, Корпус: to-220, Пороговое напряжение на затворе: 2.5…4.5, Вес, г: 1.8, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
