Maximum Operating Temperature: +150 °C, Maximum Continuous Drain Current: 5,5 А, Тип корпуса: TO-220F, Maximum Power Dissipation: 51 Вт, Mounting Type: Монта на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Height: 9.19мм, Transistor Material: Кремний, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.16мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Series: QFET, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 2,5 ?, Maximum Drain Source Voltage: 800 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 21 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Максимальное напряение затвор-исток: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 5.5 A, Pd - рассеивание мощности: 51 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.5 Ohms, Vds - напряение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряение затвор-исток: 30 V, Вид монтаа: Through Hole, Время нарастания: 65 ns, Время спада: 44 ns, Высота: 16.07 mm, Длина: 10.36 mm, Другие названия товара №: FQPF6N80C_NL, Канальный реим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.4 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: FQPF6N80C, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задерки выключения: 47 ns, Типичное время задерки при включении: 26 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220FP-3, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 5.5A, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 51W, Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5О© @ 2.75A,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800V, Vgs - Gate-Source Voltage: 5V @ 250uA, Вес, г: 2, Бренд: ON Semiconductor
