Конфигурация: Low-Side, Тип канала: Один, Кол-во каналов: 1, Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET, Напряжение питания, В: 4.5…18, Логическое напряжение (VIL), В: 0.8, Логическое напряжение (VIH), В: 2.4, Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 12, Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 12, Тип входа: неинвертирующий, Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20, Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 24, Рабочая температура, °C: -40…+ 85 (TA), Корпус: soic-8 (0.154 inch), Вес, г: 0.2, Бренд: Microchip Technology
