Id - непрерывный ток утечки: 120 A, Pd - рассеивание мощности: 735 W, Qg - заряд затвора: 170 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 11 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 30 ns, Время спада: 14 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 60 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 130 ns, Типичное время задержки при включении: 30 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation
