Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 22 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXGP12N120, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220AB-3, Вес, г: 1.8, Бренд: Ixys Corporation
